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http://www.toshiba-machine.co.jp/jp/index.html
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次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会 第77回研究会

2020年に向けた大口径SiCウェハの量産加工技術 最前線

2020年東京オリンピックの開催に合わせて,高性能で省エネルギー化をもたらすSiCパワー半導体の自動車や新幹線への搭載計画が進められています.しかし,SiCは硬度が極めて高く,また化学的・熱的にも強いという材料特性から加工が極めて難しく,ウェハ量産加工技術の開発が遅れており,その確立が急務となっています.そこで本研究会では,SiC基板の高速切断技術や,多数枚バッチ処理が可能となる両面同時加工技術,先進的CMP技術に焦点を当てて各専門家に講演していただきます.

主 催:公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会

日 時:2018年2月23日(金) 13:00~17:00

会 場:日本大学 理工学部 駿河台キャンパス

    駿河台校舎1号館4階141教室( 東京都千代田区神田駿河台1-6)

http://www.cst.nihon-u.ac.jp/campus/index.html

交 通:JR中央・総武線 御茶ノ水駅 聖橋口改札下車徒歩3分

東京メトロ千代田線「新御茶ノ水」駅B1出口 下車徒歩3分

東京メトロ丸ノ内線「御茶ノ水」駅 出口1 下車徒歩5分

 

 

13:00~13:05  開会挨拶 

13:05~13:55 <講演1> SiC量産加工技術の必要性と最新動向

産総研  加藤 智久 氏

13:55~14:45 <講演2>  ワイヤソーによるSiC単結晶の量産化加工技術

トーヨーエイテック㈱  高橋 宏和 氏

14:45~15:00  休憩

15:00~15:50 <講演3> ダイヤモンドラッピング砥石によるSiCウェハの両面同時加工

㈱ミズホ  永橋 潤司 氏

15:50~16:40 <講演4> 当社におけるシリコン・SiCのCMP技術 

~基礎技術から量産対応・仕上げ面品質の考察まで~

 ㈱フジミインコーポレーテッド  高見 信一郎 氏

16:40~16:45  閉会挨拶・事務連絡  

17:00~19:00  技術交流会:日本大学 理工学部 駿河台キャンパス 5号館内食堂

参加費(技術交流会含): 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会会員・・・無料

            非会員・・・15,000円(1社2名まで)

申込締切日:2018年2月15日(木) 

 ※申込締切後のキャンセルはご遠慮下さい.当日不参加の場合は参加費を請求させて頂きます.

問合せ・申込先: 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会事務局 田附宙美 宛

            FAX:048-829-7046   E-mail:sf-office@mech.saitama-u.ac.jp

 

開催日
2018/02/23 (金)
終了日
2018/02/23 (金)
時間
13:00~17:00
場所

日本大学理工学部駿河台キャンパス