【2023年4月14日ハイブリッド開催】第108回研究会「次世代パワー半導体材料のスライシング・ダイシング技術～SiC,GaN の切断/割断技術～」

パワー半導体市場は、5G 関連などの情報通信機器分野や、中国、欧州における

自動車・電装分野の需要増加 などもあり、大幅に増加している。その中でも

大きな伸びを見込まれているのがSiC、GaN、Ga2O3 等の次世 代パワー半導体である。

本研究会では、次世代パワー半導体材料の切断/割断技術に注目して、

次世代パワー半 導体切断のエキスパートをお招きし、

最新のスライシング、ダイシング技術についてご講演をいただきます。

 

主 催：公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会

日 時：2023 年 4 月 14 日(金) 13:00～17:00 開催方式：下記会場（対面）と

Cisco Webex Meeting（Web）のハイブリッド形式で開催します。

〒100-0004 東京都千代田区区大手町 1-8-1 KDDI 大手町ビル 22F

TKP 東京駅大手町カンファレンスセンター カンファレンスルーム 22A

電話： 03-3243-5231

https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/cc-tokyo-otemachi/access/

※ 講演者には開催前の状況により，対面か Web のどちらでの講演かを選択して頂きます。

※ Web 開催に関する詳細情報は、参加ご希望の方に後日通知いたします。

 

13:00～13:05 開会挨拶 委員長 日本大学 山田 高三 氏

13:05～13:55 講演１ 「SiC ウエハのレーザスライシング技術」

埼玉大学 山田 洋平 氏

13:55～14:45 講演２ 「GaN ウエハのレーザスライシング技術」

名古屋大学 田中 敦之 氏

14:45～15:05 ＜休 憩＞

15:05～15:55 講演３ 「パワー半導体デバイスのレーザダイシング技術」

浜松ホトニクス株式会社 飯田 哲也 氏

15:55～16:45 講演４ 「割断を応用した化合物半導体(SiC)の結晶へき開型切断加工」

三星ダイヤモンド工業株式会社 北市 充 氏

16:45～16:55 閉会挨拶・事務連絡

17:10～19:10 技術交流会（予定）

 

参加費：研究会：当専門委員会会員：無料，非会員：15,400 円（消費税 10%を含む）

※会員は 5 人／社まで、非会員は 2 人／社まで研究会に参加できます。

技術交流会：会員資格に関わらず２名／社まで参加できます。

3 人目からは 4,950 円／人（消費税 10％を含 む）を徴収します。

（注）「会員」とは専門委員会会員を指します。学会員ではございませんのでご注意下さい。

申込締切日：2023 年 4 月６日(木)

（注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用がかかっているため参加費を請求致します。

問合せ/申込先：当専門委員会事務局 田附宙美宛

・FAX：048-858-3709，E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp

・申し込みはホームページよりお願いいたします。→https://jsat-sf.jp/event.html