【2023年12月8日ハイブリッド開催】第112回研究会「SiC，GaN先進パワー半導体基板の加工・評価技術最前線（見学会付き）」 ～加工方法と加工変質層の深さとの関わり，及びその評価方法について～

2050年のカーボンニュートラル社会の実現にはEV化の推進や再生可能エネルギーの主力電源化が

不可欠であり，SiC，GaNなどの先進パワー半導体を用いた高度なパワエレ技術の普及が重要

となっている．

そのため，先進パワー半導体基板の量産化・低コスト化が強く望まれているが，これらは

難加工材料でもあり、加工に時間がかかるため，製造コスト削減の障壁の一つとなっている．

特にウエハの仕上げ加工における加工変質層の議論は非常に重要である．

そこで，今回はSiC，GaNなどの先進パワー半導体基板の加工方法と加工変質層の深さとの関わり，

及びその評価方法について各講師に講演していただく．

また、今回は㈱リガク様のご厚意により，㈱リガク東京工場の見学をさせていただくことになり，

時間も1日では足りないため2日間開催となります．

主　催：（公社）砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会

日　時：2023年12月８日(金)13時～9日（土）12時

開催方式：下記会場（対面）とCisco Webex Meeting（Web）のハイブリッド形式で開催します。

会　場：㈱リガク　東京工場　セミナー室

　　　　JR 青梅線・五日市線・八高線「拝島駅」

　　　　西武 拝島線「拝島駅」南口下車徒歩7分

https://japan.rigaku.com/downloads//Honsha-map.pdf

1日目（12月8日）　

13:00-13:05 開会挨拶

委員長　日本大学　山田　高三 

13:05-13:55 <講演１>　表面改質を援用したGaN基板のテープ研磨

 東北大学　　水谷　正義氏

13:55-14:45 <講演２>　先進半導体ウエハの研磨プロセス高度化に関する技術動向

(株)斉藤光学製作所　　千葉　翔悟氏

14:45-14:55 <休憩>

14:55-15:45 <講演３>　X線回折法を用いた先進パワー半導体基板の結晶性評価 –XRD,XRC,XRT–

（株）リガク　稲葉　克彦氏

15:45-16:00 <名刺交換・見学説明>                           

16:00-17:00 <工場見学会>　※末尾参照（見学会ご参加の制限事項について）

17:00-17:45 移動（リガク東京工場～拝島駅～立川駅～技術交流会場）　

18:00-20:00 <技術交流会>  立川駅周辺を予定

――――――――　1日目終了　解散　―――――――――――――――――――――――

2日目（12月9日）

2日目会場：TKPスター貸会議室 立川

JR中央線 立川駅北口から徒歩1分

東京都立川市曙町2-12-1曙ビル 4階　カンファレンスルーム4A

 10:00-10:05 <2日目説明等>　 幹事

 10:05-10:55 <講演４>　SiCウエハの大口径化と最新加工技術

（株）東京精密　五十嵐 健二氏

 10:55-11:45 <講演5>　ミラー電子式検査装置によるSiCウエハ加工ダメージ非破壊管理の魅力

（株）日立ハイテク　小林 健二氏

 11:45-11:55 閉会挨拶

委員長　日本大学　山田　高三

参加費：研究会：当専門委員会会員：無料，非会員：15,400円（消費税10%を含む）

※会員は5人／社まで、非会員は2人／社まで研究会に参加できます。

オンライン参加の場合はPC接続数に限りがあります。

専門委員会事務局（田附）にお問い合わせ下さい。

講演・見学会：対面参加は人数制限がありますので、先着順にて受け付けます。

また同業他社様の見学はご遠慮いただく可能性もございますので、予めご了承ください。

技術交流会：会員資格に関わらず2名／社まで参加できます。

3人目からは4,950円／人（消費税10%を含む）を徴収します。

（注）「会員」とは専門委員会会員を指します。学会員ではございませんのでご注意下さい。

申込締切日：2023年11月22日(木)

（注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用がかかっているため参加費を請求致します。

問合せ/申込先：当専門委員会事務局　田附宙美宛

・FAX：048-858-3709，E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp

・申し込みはホームページよりお願いいたします。→https://jsat-sf.jp/event.htm