【2022年12月5日ハイブリッド開催】第106回研究会「パワー半導体材料の基板加工技術最前線－ Si，SiC，GaN の研削・研磨 他－」

カーボンニュートラル社会の実現に不可欠なパワー半導体デバイス市場の拡大が注目されている．

まず，これまで一部の特殊用途のみに搭載されてきたSiC パワーデバイスであるが，ここにきて

本格普及の兆しが見えてきた．2025年以降，多くのEVに搭載されると予測されているからである．

また，2030年頃には縦型GaNパ ワーデバイスが登場してくる可能性もある．

しかし，これまで圧倒的な市場を得ていたのはもちろんシリコンであり，今後もその地位は

揺るがないものと思われる．そこで今回はこれらの主なパワー半導体デバイス材料の加工技術，

中でも研削，研磨に焦点を当ててその分野の専門家に講演していただく．

主 催　公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会

日 時　2022 年 12 月 5 日(月) 13:00～17:00

開催方式　下記会場（対面）と Cisco Webex（オンライン）のハイブリッド形式

会 場　TKP 神田駅前ビジネスセンター5 階 カンファレンスルーム５C

〒101-0044 東京都千代田区鍛冶町 2-2-1 三井住友銀行神田駅前ビル 5F

https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/bc-kanda-ekimae/room_detail/2954/

交 通　JR 神田駅「東口」から徒歩３分

※ 講演者には開催前の状況により， 対面あるいはオンラインによる講演を選択して頂きます ．

※ オンラインによる参加をご希望の方には，後日 ，詳細情報をお知らせいたします．

13:00～13:05 開会挨拶 山田高三委員長

13:05～13:55 講演１ 「 半導体デバイス材料の除去加工の進化 」

㈱高田工業所 阿部耕三 氏

13:55～14:45 講演２ 「 パワー半導体用基板材料の研削加工 」

旭ダイヤモンド工業㈱ 渡邊正和 氏

14:45～15:05 ＜休 憩＞

15:05～15:55 講演３ 「 固定砥粒ラップ定盤による大口径SiC ウエハの研磨 」

㈱ミズホ 野副厚訓 氏

15:55～16:45 講演４ 「 固体電解質を用いた環境調和型ECMP によるSiC の高能率平滑化 」

立命館大学 村田順二 氏

16:45～16:50 閉会挨拶・事務連絡

17:10～19:10 技術交流会（予定）

参加費

・研究会　当専門委員会会員︓無料，非会員15,000 円 ※会員は5 人まで、非会員は

2 人まで研究会に参加できま す。

・技術交流会　2 人／社まで無料，3 名目からは会員・非会員問わず5,000 円／人を徴収致します。

申込締切日　2022 年 11 月 24 日(木) （注）当日キャンセルの非会員には、すでに準備に費用が

かかっているため参加費を請求致します。

問合せ/申込先　当専門委員会事務局 田附宙美宛

・FAX︓048-858-3709，E-mail : sf-office@mech.saitama-u.ac.jp

・申し込みはホームページよりお願いいたします。→https://jsat-sf.jp/event.html