公益社団法人 砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会 第130 回研究会

「先端半導体のプロセスを支える加工技術の最前線」

AI やEV の普及に伴う半導体の微細化・3D 実装化、次世代パワー半導体の台頭など、ウェハにはナノメートル規模の平坦度と極限の清浄度が求められています。本講演では、 市場の最新動向を概説いただくとともに、歩留まり向上に直結するエッジ加工、ウェハ形状の基礎となる高精度研磨機、各種材料の平坦化を支えるCMP・精密洗浄技術について、第一線で活躍する 4 名の講師をお招きし、それぞれの専門領域における最新技術と将来展望について解説いただきます。

日 時：2026 年 12 月 18 日(金) 13：00～17:00

開催方式：下記会場（対面）と Cisco Webex Meeting（Web）のハイブリッド形式で開催します。

会 場：日本大学 理工学部 駿河台キャンパス　1 号館６F CST ホール

　　　〒101-8301 東京都千代田区神田駿河台 1-8-14

　　　当日連絡先：03-3259-0404

公益社団法人　砥粒加工学会　次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会　第129回研究会

　　　「金属AMにおける仕上げ加工技術の最前線」

公益社団法人　砥粒加工学会　次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会　第128回研究会

最近の研究成果から探る研削加工技術のトレンド

本講演では、研削加工技術の最先端動向と技術革新の進化について概説します。近年、環境負荷の低減や加工効率の向上を目指した新しい研削技術が注目されており、日本は精密加工において世界をリードしています。本講演では、最近公開された研究成果を取り上げ、各技術のアプローチや競争力を分析することで、研削加工技術の最新動向を明らかにし、将来の方向性に関する洞察を提供します。

研削加工は難加工材料の加工や高精度部品の量産に応用されてきましたが、近年、EVやロボット用部品の需要拡大により、その注目度が再び高まっています。本研究会ではこれまで、研削盤の精度向上や自動化、オンマシン計測、砥石の開発・評価など、多岐にわたるテーマを取り上げてきました。今回は研削加工研究とその応用にフォーカスして、研削熱の抑制や砥石周りの熱流体解析事例を紹介し、基礎研究で得られた知見を応用した研削条件の予測や歯車の加工事例について研究者・技術者の方々に講演していただきます。

主　催：公益社団法人砥粒加工学会 次世代固定砥粒加工プロセス専門委員会

近年、レーザ微細加工技術は、光源の高出力化・短パルス化、ビーム制御技術や加工プロセスの

高度化により、精密加工の可能性を大きく拡げています。

金属加工をはじめとして、半導体、電子デバイス、医療機器、次世代材料加工など幅広い分野で

応用が進み、研究・産業の両面で注目を集めています。

本研究会では、レーザ微細加工技術に関する最新の研究成果や実用化事例を、第一線で活躍する

４名の研究者と技術者から最新情報をご提供頂くとともに、今後の技術展開や課題について

2025年の半導体市場は、人工知能（AI）や高性能コンピューティング（HPC）、

WBG半導体（SiC、GaNなど）の需要拡大を背景に、世界的に大きな成長が見込まれています。

半導体の製造工程は、「ウエハ製造」と、半導体チップを作り込む「前工程」、

チップを切り出してパッケージ化し完成させる「後工程」から成り、

「前工程」や「後工程」においても「プラナリゼーションCMP」、

「バックオフ」、「ダイシング」などの機械加工技術が重要な役割を果たしています。

そこで、本研究会では、先端半導体製造の現場で直面している課題について

現在，わが国において，高性能を有する，多くの種類の半導体が開発されている．

これは，ひとえに，わが国の半導体工学の発展によるものである．

高耐熱基板や半導体を製造する技術には，高度な材料加工技術が必要であり，

半導体工学の発展に大きな貢献をしているのは，周知の事実である．

そこで今回の研究会においては，高放熱基板や半導体加工に必要な付加加工(めっき，印刷)，

除去加工(割断)等に焦点を当てた．

2025年3月に幕張メッセで「Grinding Technology Japan 2025」および「SiC,GaN加工技術展2025」が

開催されました。

展示会では限られた時間内で多くのブースを回る必要があるため個人の興味や既知の分野に偏って

視察することが多いと思います。

そこで本講演では企画委員が専門知識に基づき今後の可能性をみた、深堀りしたい技術を

抽出しました。

業界での技術やニーズが、思わぬ形で自分の仕事に応用できることもあります。

優れた材料特性を持つダイヤモンドは，これまで宝飾原石や砥粒等の工具素材として用いられてきた．

更に近年は究極の半導体と称されその開発動向に注目が集まっている．

しかし，その高い機械的材料特性のため加工が極めて困難であり，ダイヤモンド半導体の実用化の

障壁の一つとなっている．

品質の良い結晶を得ることと高効率な加工プロセスを確立することがダイヤモンド半導体の

実用化につながり，ひいてはエコロジカルな社会の実現に寄与する．

今回は，そんなダイヤモンドの加工に着目し，第一線で活躍する4名の研究者・技術者から

最新情報を提供頂く．

200mm口径SiCウェハの製造・量産が開始され、これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの

本格量産が始まるとされる。SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、

そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる

高品質化・低コスト化が必要不可欠である。

本講演会では、日本および世界の企業・大学で30年以上、SiC単結晶ウェハの研究を